Propiedades de Tunelamiento Resonante en Hateroestructuras Semiconductoras de Doble Barrera

by Dr Harold Paredes (Esc Física UIS)

Monday 25 Jun 2012, 11:00 → 12:00 America/Bogota

salón 402 LL (Fac Ciencias)

Se realizó el estudio del transporte en una heteroestructura de doble barrera de GaAs/AlxGa1-xAs en presencia de impurezas poco profundas tipo hidrogenoide bajo el efecto de un campo magnético y presión hidrostática. Adicionalmente, se realizó el cálculo de la corriente de espín en diodos de Cd1-xMnxTe-CdTe-Cd1-xMnxTe, en presencia de capas de impurezas magnéticas diluidas. El sistema es representado por un Hamiltoniano de enlace fuerte a una banda y la corriente es obtenida por el formalismo de Keldysh de funciones de Green fuera del equilibrio. Nuestros resultados serán comparados con previos reportes experimentales y teóricos.